Второй по величине в мире производитель DRAM-чипов Micron Technology, а также компании Renesas, Hitachi, Tokyo Electron уже в феврале 2014 года отправят своих лучших экспертов в японский университет Тохоку, где специалисты приступят к разработке чипов памяти нового поколения.
Новая память называется MRAM, что можно перевести, как «магниторезистивная память с произвольным доступом». На самом деле, эту память начали разрабатывать много лет назад, но до сегодняшнего дня она пребывала в тени более популярных форматов флеш-памяти (NAND) и DRAM-формата, ставшего общемировым стандартом. Вследствие непопулярности и дороговизны производства, MRAM-чипы никого, кроме очень узкого круга специалистов, не интересовали.
В отличие от DRAM, где для хранения данных используются магнитные заряды, а не электрические, память MRAM будет сохранять данные даже при отключении питания. Кроме всего прочего, MRAM-память для работы требует втрое меньше энергии, нежели DRAM-чипы, а также демонстрирует производительность приблизительно в 10 раз выше, чем у её предшественника.
Преимущества нового формата памяти позволяют предположить, что MRAM-чипы станут особенно популярны среди производителей мобильной электроники и, прежде всего, смартфонов и планшетов, где наиболее актуален вопрос низкого энергопотребления.
Это не единичный случай, когда крупные компании объединяются для того, чтобы разработать новый формат памяти. Не так давно компании Tohiba и Hynix соединили свои силы для разработки чипов нового поколения. Также подобными разработками занимаются и инженеры компании Samsung. В этой гонке вооружений победит тот, кто разработает максимально недорогой и эффективный способ серийного производства этой памяти.